APT9F100B
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 5A; Idm: 37A; 337W; TO247-3
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APT9F100B
Simbolo TME:
APT9F100B
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo del transistor | N-MOSFET | |
Tecnologia | POWER MOS 8® | |
Polarizzazione | unipolare | |
Tensione drenaggio-fonte | 1kV | |
Corrente di drenaggio | 5A | |
Corrente di drain pulsata | 37A | |
Potenza dissipata | 337W | |
Cassa | TO247-3 | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Resistenza nello stato di conduzione | 1,6Ω | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 80nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Genere di canale | arricchito |
Peso lordo6 g
Certificati
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* APT9F100BQuantità (Molteplicità: 1)
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