APT9M100B
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; TO247-3
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APT9M100B
Simbolo TME:
APT9M100B
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo del transistor | N-MOSFET | |
Tecnologia | POWER MOS 8® | |
Polarizzazione | unipolare | |
Tensione drenaggio-fonte | 1kV | |
Corrente di drenaggio | 6A | |
Corrente di drain pulsata | 37A | |
Potenza dissipata | 335W | |
Cassa | TO247-3 | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Resistenza nello stato di conduzione | 1,4Ω | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 80nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Genere di canale | arricchito |
Peso lordo6.05 g
Certificati
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* APT9M100BQuantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 4.05 EURPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 4.95 EUR
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Prezzo netto per quantità da 10 pz - 3.50 EURPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 4.27 EUR
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 30 pz