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APTM100A13SCG

Modulo; diodo SiC/transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW


Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY

Indicazione del produttore:
APTM100A13SCG
Simbolo TME:
APTM100A13SCG

Specifica

Produttore
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
diodo SiC/transistor
Tensione drenaggio-fonte
1kV
Corrente di drenaggio
49A
Cassa
SP6C
Topologia
semiponte MOSFET + diodi in serie + diodi in parallelo
Montaggio elettrico
avvitabile, FASTON connettori
Resistenza nello stato di conduzione
156mΩ
Corrente di drain pulsata
240A
Potenza dissipata
1,25kW
Tecnologia
POWER MOS 7®, SiC
Tensione porta-sorgente
±30V
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo300 g
Certificati

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. è l'importatore dei prodotti di questo marchio

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APTM100A13SCG
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