APTM120U10SAG
Modulo; diodo/transistor; 1,2kV; 86A; SP6C; Idm: 464A; 3,29kW
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APTM120U10SAG
Simbolo TME:
APTM120U10SAG
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | diodo/transistor | |
Tensione drenaggio-fonte | 1,2kV | |
Corrente di drenaggio | 86A | |
Cassa | SP6C | |
Topologia | transistor singolo + diodo in serie + diodo in parallelo | |
Montaggio elettrico | avvitabile, FASTON connettori | |
Resistenza nello stato di conduzione | 0,12Ω | |
Corrente di drain pulsata | 464A | |
Potenza dissipata | 3,29kW | |
Tecnologia | POWER MOS 7® | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo300 g
Certificati
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* APTM120U10SAGQuantità (Molteplicità: 4)
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Prezzo netto per quantità da 4 pz - 260.74 USDPrezzo lordo per quantità da 4 pz - 318.09 USD
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