B2D10065E1
Diodo: raddrizzatore Schottky; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 52W
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
B2D10065E1
Simbolo TME:
B2D10065E1
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Tipo di diodi | raddrizzatore Schottky | ||
Cassa | TO252-2 | ||
Tecnologia | SiC | ||
Montaggio | SMD | ||
Tensione invertita max. | 650V | ||
Corrente di conduzione | 10A | ||
Struttura del semiconduttore | diodo singolo | ||
Tensione di conduzione max. | 1,55V | ||
Corrente di dispersione | 20µA | ||
Corrente nell'impulso max. | 65A | ||
Genere di confezione | bobina, nastro | ||
Potenza dissipata | 52W |
Peso lordo1 g
Certificati
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* B2D10065E1Quantità (Molteplicità: 1)
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