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B2M030120H

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 68A; Idm: 186A; 454W


Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR

Indicazione del produttore:
B2M030120H
Simbolo TME:
B2M030120H

Specifica

Produttore
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo del transistor
N-MOSFET
Tecnologia
SiC
Polarizzazione
unipolare
Tensione drenaggio-fonte
1,2kV
Corrente di drenaggio
68A
Corrente di drain pulsata
186A
Potenza dissipata
454W
Cassa
TO247-3
Tensione porta-sorgente
-4...18V
Resistenza nello stato di conduzione
30mΩ
Montaggio
THT
Carico della porta
115nC
Genere di confezione
tubo
Genere di canale
arricchito
Peso lordo1 g
Certificati

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. è l'importatore dei prodotti di questo marchio

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B2M030120H
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