B2M032120Y
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
B2M032120Y
Simbolo TME:
B2M032120Y
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo del transistor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarizzazione | unipolare | |
Tensione drenaggio-fonte | 1,2kV | |
Corrente di drenaggio | 60A | |
Corrente di drain pulsata | 190A | |
Potenza dissipata | 375W | |
Cassa | TO247PLUS-4 | |
Tensione porta-sorgente | -4...18V | |
Resistenza nello stato di conduzione | 50mΩ | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 40nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Genere di canale | arricchito | |
Proprieta degli elementi semiconduttori | Uscita Kelvin |
Peso lordo7.01 g
Certificati
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* B2M032120YQuantità (Molteplicità: 1)
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 30 pz