B2M040120H
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 48A; Idm: 123A; 333W
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
B2M040120H
Simbolo TME:
B2M040120H
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo del transistor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarizzazione | unipolare | |
Tensione drenaggio-fonte | 1,2kV | |
Corrente di drenaggio | 48A | |
Corrente di drain pulsata | 123A | |
Potenza dissipata | 333W | |
Cassa | TO247-3 | |
Tensione porta-sorgente | -4...18V | |
Resistenza nello stato di conduzione | 40mΩ | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 90nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Genere di canale | arricchito |
Peso lordo1 g
Certificati
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. è l'importatore dei prodotti di questo marchio
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Transistori con canale N THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2M040120HQuantità (Molteplicità: 1)
0 in stock presso TME
Prezzo netto per quantità da 1 pz - 3.65 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 4.45 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 3.29 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 4.01 USD
Prezzo netto per quantità da 30 pz - 2.91 USDPrezzo lordo per quantità da 30 pz - 3.55 USD
Prezzo netto per quantità da 120 pz - 2.61 USDPrezzo lordo per quantità da 120 pz - 3.19 USD
Prezzo netto per quantità da 300 pz - 2.44 USDPrezzo lordo per quantità da 300 pz - 2.98 USD