B2M080120H
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 28A; Idm: 68A; 187W
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
B2M080120H
Simbolo TME:
B2M080120H
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo del transistor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarizzazione | unipolare | |
Tensione drenaggio-fonte | 1,2kV | |
Corrente di drenaggio | 28A | |
Corrente di drain pulsata | 68A | |
Potenza dissipata | 187W | |
Cassa | TO247-3 | |
Tensione porta-sorgente | -4...18V | |
Resistenza nello stato di conduzione | 80mΩ | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 46nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Genere di canale | arricchito |
Peso lordo1 g
Certificati
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* B2M080120HQuantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 30 pz - 1.82 USDPrezzo lordo per quantità da 30 pz - 2.22 USD
Prezzo netto per quantità da 120 pz - 1.64 USDPrezzo lordo per quantità da 120 pz - 2.00 USD
Prezzo netto per quantità da 300 pz - 1.53 USDPrezzo lordo per quantità da 300 pz - 1.87 USD