B2M600170H
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
B2M600170H
Simbolo TME:
B2M600170H
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo del transistor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarizzazione | unipolare | |
Tensione drenaggio-fonte | 1,7kV | |
Corrente di drenaggio | 5A | |
Corrente di drain pulsata | 10A | |
Potenza dissipata | 75W | |
Cassa | TO247-3 | |
Tensione porta-sorgente | -4...18V | |
Resistenza nello stato di conduzione | 0,6Ω | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 14nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Genere di canale | arricchito |
Peso lordo6.2 g
Certificati
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* B2M600170HQuantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 1.26 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 1.54 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 1.13 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 1.38 USD
Prezzo netto per quantità da 30 pz - 1.00 USDPrezzo lordo per quantità da 30 pz - 1.22 USD
Prezzo netto per quantità da 120 pz - 0.91 USDPrezzo lordo per quantità da 120 pz - 1.10 USD
Prezzo netto per quantità da 300 pz - 0.84 USDPrezzo lordo per quantità da 300 pz - 1.02 USD
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 30 pz