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Produttore	BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo del transistor	N-MOSFET
Tecnologia	SiC
Polarizzazione	unipolare
Tensione drenaggio-fonte	1,7kV
Corrente di drenaggio	4A
Corrente di drain pulsata	10A
Potenza dissipata	60W
Cassa	TO263-7
Tensione porta-sorgente	-4...18V
Resistenza nello stato di conduzione	0,6Ω
Montaggio	SMD
Carico della porta	14nC
Genere di confezione	bobina, nastro
Genere di canale	arricchito
Proprieta degli elementi semiconduttori	Uscita Kelvin

B2M600170R

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,7kV; 4A; Idm: 10A; 60W

Specifica

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. è l'importatore dei prodotti di questo marchio