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Produttore	BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo del transistor	N-MOSFET
Tecnologia	SiC
Polarizzazione	unipolare
Tensione drenaggio-fonte	750V
Corrente di drenaggio	169A
Corrente di drain pulsata	480A
Potenza dissipata	750W
Cassa	TO247-3
Tensione porta-sorgente	-5...18V
Resistenza nello stato di conduzione	10mΩ
Montaggio	THT
Carico della porta	0,22µC
Genere di confezione	tubo
Genere di canale	arricchito

B3M010C075H

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 750V; 169A; Idm: 480A; 750W

Specifica

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. è l'importatore dei prodotti di questo marchio