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Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo del transistor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarizzazione | unipolare | |
Tensione drenaggio-fonte | 650V | |
Corrente di drenaggio | 76A | |
Corrente di drain pulsata | 161A | |
Potenza dissipata | 375W | |
Cassa | TOLT | |
Tensione porta-sorgente | -5...18V | |
Resistenza nello stato di conduzione | 25mΩ | |
Montaggio | SMD | |
Carico della porta | 98nC | |
Genere di confezione | bobina, nastro | |
Genere di canale | arricchito |