B3M040065Z
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
B3M040065Z
Simbolo TME:
B3M040065Z
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo del transistor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarizzazione | unipolare | |
Tensione drenaggio-fonte | 650V | |
Corrente di drenaggio | 47A | |
Corrente di drain pulsata | 108A | |
Potenza dissipata | 250W | |
Cassa | TO247-4 | |
Tensione porta-sorgente | -4...18V | |
Resistenza nello stato di conduzione | 40mΩ | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 60nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Genere di canale | arricchito | |
Proprieta degli elementi semiconduttori | Uscita Kelvin |
Peso lordo1 g
Certificati
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* B3M040065ZQuantità (Molteplicità: 1)
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