B3M040120H
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
B3M040120H
Simbolo TME:
B3M040120H
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo del transistor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarizzazione | unipolare | |
Tensione drenaggio-fonte | 1,2kV | |
Corrente di drenaggio | 45A | |
Corrente di drain pulsata | 124A | |
Potenza dissipata | 312W | |
Cassa | TO247-3 | |
Tensione porta-sorgente | -4...18V | |
Resistenza nello stato di conduzione | 40mΩ | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 85nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Genere di canale | arricchito |
Peso lordo6.12 g
Certificati
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* B3M040120HQuantità (Molteplicità: 1)
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 30 pz