B3M040120ZN
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Indicazione del produttore:
B3M040120ZN
Simbolo TME:
B3M040120ZN
Specifica
Produttore | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo del transistor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarizzazione | unipolare | |
Tensione drenaggio-fonte | 1,2kV | |
Corrente di drenaggio | 45A | |
Corrente di drain pulsata | 124A | |
Potenza dissipata | 312W | |
Cassa | TO247-4 | |
Tensione porta-sorgente | -5...18V | |
Resistenza nello stato di conduzione | 40mΩ | |
Montaggio | THT | |
Carico della porta | 88nC | |
Genere di confezione | tubo | |
Genere di canale | arricchito |
Peso lordo1 g
Certificati
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. è l'importatore dei prodotti di questo marchio
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Transistori con canale N THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B3M040120ZNQuantità (Molteplicità: 1)
0 in stock presso TME
Prezzo netto per quantità da 1 pz - 2.48 EURPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 3.02 EUR
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 2.23 EURPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 2.72 EUR
Prezzo netto per quantità da 30 pz - 1.97 EURPrezzo lordo per quantità da 30 pz - 2.41 EUR
Prezzo netto per quantità da 120 pz - 1.78 EURPrezzo lordo per quantità da 120 pz - 2.17 EUR
Prezzo netto per quantità da 300 pz - 1.66 EURPrezzo lordo per quantità da 300 pz - 2.01 EUR