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BFU725F/N1,115

Transistor: NPN; bipolare; RF; 2,8V; 40mA; 136mW; SOT343F


Produttore: NXP

Indicazione del produttore:
BFU725F/N1,115
Simbolo TME:
BFU725F/N1.115

Specifica

Produttore
NXP
Tipo del transistor
NPN
Polarizzazione
bipolare
Genere di transistor
RF
Tensione collettore-emettitore
2,8V
Corrente del collettore
40mA
Potenza dissipata
136mW
Cassa
SOT343F
Amplificazione del transistor
160...400
Montaggio
SMD
Genere di confezione
bobina, nastro
Frequenza
110GHz
Proprieta degli elementi semiconduttori
silicon germanium transistor (SiGe)
Peso lordo0.015 g
Certificati

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BFU725F/N1,115
2521 in stock presso TME
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Prezzo netto per quantità da 100 pz - 0.35 USDPrezzo lordo per quantità da 100 pz - 0.43 USD
Prezzo netto per quantità da 500 pz - 0.26 USDPrezzo lordo per quantità da 500 pz - 0.32 USD
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Quantità (Molteplicità: 1)
Quantità minima possibile da ordinare: 1.
Molteplicità: 1.
Metodo di confezionamento del produttoreBobina = 3 000 pz