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FDS8949

Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 40V; 6A; 2W; SO8

Documentazioni EN
Famiglia di prodotti

Produttore: ONSEMI

Indicazione del produttore:
FDS8949
Simbolo TME:
FDS8949

Specifica

Produttore
ONSEMI
Tipo del transistor
N-MOSFET x2
Tecnologia
PowerTrench®
Polarizzazione
unipolare
Tensione drenaggio-fonte
40V
Corrente di drenaggio
6A
Potenza dissipata
2W
Cassa
SO8
Tensione porta-sorgente
±20V
Resistenza nello stato di conduzione
43mΩ
Montaggio
SMD
Carico della porta
11nC
Genere di confezione
bobina, nastro
Genere di canale
arricchito
Peso lordo0.141 g
Certificati
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Transistori multicanale ONSEMI,
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FDS8949
1686 in stock presso TME
Prezzo netto per quantità da 1 pz - 1.42 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 1.73 USD
Prezzo netto per quantità da 5 pz - 1.05 USDPrezzo lordo per quantità da 5 pz - 1.28 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 0.93 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 1.13 USD
Prezzo netto per quantità da 50 pz - 0.70 USDPrezzo lordo per quantità da 50 pz - 0.85 USD
Prezzo netto per quantità da 100 pz - 0.62 USDPrezzo lordo per quantità da 100 pz - 0.76 USD
Prezzo netto per quantità da 500 pz - 0.47 USDPrezzo lordo per quantità da 500 pz - 0.57 USD
Prezzo netto per quantità da 1000 pz - 0.42 USDPrezzo lordo per quantità da 1000 pz - 0.51 USD
Prezzo netto per quantità da 2500 pz - 0.40 USDPrezzo lordo per quantità da 2500 pz - 0.49 USD
Quantità (Molteplicità: 1)
Quantità minima possibile da ordinare: 1.
Molteplicità: 1.
Metodo di confezionamento del produttoreBobina = 2 500 pz