IXFN100N50P
Modulo; transistor singolo; 500V; 75A; SOT227B; avvitabile; 1,04kW
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN100N50P
Simbolo TME:
IXFN100N50P
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 500V | |
Corrente di drenaggio | 75A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 49mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 250A | |
Potenza dissipata | 1,04kW | |
Tecnologia | HiPerFET™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 240nC | |
Tempo di prontitudine | 200ns | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo37.07 g
Certificati
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* IXFN100N50PQuantità (Molteplicità: 1)
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz