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IXFN100N65X2

Modulo; transistor singolo; 650V; 78A; SOT227B; avvitabile; 595W

Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
IXFN100N65X2
Simbolo TME:
IXFN100N65X2

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte
650V
Corrente di drenaggio
78A
Cassa
SOT227B
Montaggio elettrico
avvitabile
Polarizzazione
unipolare
Resistenza nello stato di conduzione
30mΩ
Corrente di drain pulsata
200A
Potenza dissipata
595W
Tecnologia
HiPerFET™, X2-Class
Genere di canale
arricchito
Carico della porta
183nC
Tempo di prontitudine
200ns
Tensione porta-sorgente
±40V
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo37.09 g
Certificati
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IXFN100N65X2
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