IXFN102N30P
Modulo; transistor singolo; 300V; 86A; SOT227B; avvitabile; 570W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN102N30P
Simbolo TME:
IXFN102N30P
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 300V | |
Corrente di drenaggio | 86A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 33mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 250A | |
Potenza dissipata | 570W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 224nC | |
Tempo di prontitudine | 200ns | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo36.99 g
Certificati
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* IXFN102N30PQuantità (Molteplicità: 1)
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