IXFN102N30P
Modulo; transistor singolo; 300V; 86A; SOT227B; avvitabile; 570W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN102N30P
Simbolo TME:
IXFN102N30P
Specifica
Produttore | IXYS | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | ||
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | ||
Tensione drenaggio-fonte | 300V | ||
Corrente di drenaggio | 86A | ||
Cassa | SOT227B | ||
Montaggio elettrico | avvitabile | ||
Polarizzazione | unipolare | ||
Resistenza nello stato di conduzione | 33mΩ | ||
Corrente di drain pulsata | 250A | ||
Potenza dissipata | 570W | ||
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | ||
Genere di canale | arricchito | ||
Carico della porta | 224nC | ||
Tempo di prontitudine | 200ns | ||
Tensione porta-sorgente | ±30V | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo36.99 g
Certificati
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN102N30PQuantità (Molteplicità: 1)
0 in stock presso TME
Prezzo netto per quantità da 1 pz - 27.31 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 33.32 USD
Prezzo netto per quantità da 2 pz - 26.09 USDPrezzo lordo per quantità da 2 pz - 31.83 USD
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 25.01 USDPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 30.52 USD
Prezzo netto per quantità da 5 pz - 23.23 USDPrezzo lordo per quantità da 5 pz - 28.34 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 21.92 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 26.74 USD