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IXFN110N60P3

Modulo; transistor singolo; 600V; 90A; SOT227B; avvitabile; 1500W


Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
IXFN110N60P3
Simbolo TME:
IXFN110N60P3

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte
600V
Corrente di drenaggio
90A
Cassa
SOT227B
Montaggio elettrico
avvitabile
Polarizzazione
unipolare
Resistenza nello stato di conduzione
56mΩ
Corrente di drain pulsata
275A
Potenza dissipata
1,5kW
Tecnologia
HiPerFET™, Polar3™
Genere di canale
arricchito
Carico della porta
254nC
Tempo di prontitudine
250ns
Tensione porta-sorgente
±40V
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo35.71 g
Certificati
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IXFN110N60P3
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Metodo di confezionamento del produttore:Tubetto = 10 pz