IXFN120N65X2
Modulo; transistor singolo; 650V; 108A; SOT227B; avvitabile; 890W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN120N65X2
Simbolo TME:
IXFN120N65X2
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 650V | |
Corrente di drenaggio | 108A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 24mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 240A | |
Potenza dissipata | 890W | |
Tecnologia | HiPerFET™, X2-Class | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 240nC | |
Tempo di prontitudine | 220ns | |
Tensione porta-sorgente | ±40V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo37.11 g
Certificati
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* IXFN120N65X2Quantità (Molteplicità: 1)
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz