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Produttore	IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore	Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore	transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte	250V
Corrente di drenaggio	120A
Cassa	SOT227B
Montaggio elettrico	avvitabile
Polarizzazione	unipolare
Resistenza nello stato di conduzione	17mΩ
Corrente di drain pulsata	400A
Potenza dissipata	690W
Tecnologia	GigaMOS™, HiPerFET™
Genere di canale	arricchito
Carico della porta	255nC
Tempo di prontitudine	200ns
Tensione porta-sorgente	±30V
Montaggio meccanico	avvitabile

IXFN140N25T

Modulo; transistor singolo; 250V; 120A; SOT227B; avvitabile; 690W

Specifica