IXFN170N30P
Modulo; transistor singolo; 300V; 138A; SOT227B; avvitabile; 890W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN170N30P
Simbolo TME:
IXFN170N30P
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 300V | |
Corrente di drenaggio | 138A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 18mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 500A | |
Potenza dissipata | 890W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 258nC | |
Tempo di prontitudine | 200ns | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo29.8 g
Certificati
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN170N30P
0 in stock presso TME
Quantità (Molteplicità: 1)
Prezzo netto per quantità da 1 pz - 38.80 EURPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 47.34 EUR
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 37.60 EURPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 45.88 EUR
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 35.10 EURPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 42.83 EUR
Metodo di confezionamento del produttore:Tubetto = 10 pz