IXFN170N30P
Modulo; transistor singolo; 300V; 138A; SOT227B; avvitabile; 890W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN170N30P
Simbolo TME:
IXFN170N30P
Specifica
Produttore | IXYS | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | ||
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | ||
Tensione drenaggio-fonte | 300V | ||
Corrente di drenaggio | 138A | ||
Cassa | SOT227B | ||
Montaggio elettrico | avvitabile | ||
Polarizzazione | unipolare | ||
Resistenza nello stato di conduzione | 18mΩ | ||
Corrente di drain pulsata | 500A | ||
Potenza dissipata | 890W | ||
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | ||
Genere di canale | arricchito | ||
Carico della porta | 258nC | ||
Tempo di prontitudine | 200ns | ||
Tensione porta-sorgente | ±30V | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo29.8 g
Certificati
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* IXFN170N30PQuantità (Molteplicità: 1)
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz