IXFN180N25T
Modulo; transistor singolo; 250V; 168A; SOT227B; avvitabile; 900W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN180N25T
Simbolo TME:
IXFN180N25T
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 250V | |
Corrente di drenaggio | 168A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 12,9mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 500A | |
Potenza dissipata | 900W | |
Tecnologia | GigaMOS™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 364nC | |
Tempo di prontitudine | 200ns | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo37.15 g
Certificati
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Quantità (Molteplicità: 1)
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Metodo di confezionamento del produttore:Tubetto = 10 pz