IXFN200N10P
Modulo; transistor singolo; 100V; 200A; SOT227B; avvitabile; 680W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN200N10P
Simbolo TME:
IXFN200N10P
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 100V | |
Corrente di drenaggio | 200A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 7,5mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 400A | |
Potenza dissipata | 680W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 235nC | |
Tempo di prontitudine | 150ns | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo37.04 g
Certificati
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* IXFN200N10PQuantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 10 pz - 22.94 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 27.99 USD
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz