IXFN26N100P
Modulo; transistor singolo; 1kV; 23A; SOT227B; avvitabile; Idm: 65A
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN26N100P
Simbolo TME:
IXFN26N100P
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 1kV | |
Corrente di drenaggio | 23A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 390mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 65A | |
Potenza dissipata | 595W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 197nC | |
Tempo di prontitudine | 300ns | |
Tensione porta-sorgente | ±40V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo37.04 g
Certificati
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* IXFN26N100PQuantità (Molteplicità: 1)
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz