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Produttore	IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore	Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore	transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte	100V
Corrente di drenaggio	295A
Cassa	SOT227B
Montaggio elettrico	avvitabile
Polarizzazione	unipolare
Resistenza nello stato di conduzione	5,5mΩ
Corrente di drain pulsata	900A
Potenza dissipata	1,07kW
Tecnologia	HiPerFET™, Polar™
Genere di canale	arricchito
Carico della porta	279nC
Tempo di prontitudine	200ns
Tensione porta-sorgente	±30V
Montaggio meccanico	avvitabile

IXFN300N10P

Modulo; transistor singolo; 100V; 295A; SOT227B; avvitabile; 1070W

Specifica