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Produttore	IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore	Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore	transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte	200V
Corrente di drenaggio	300A
Cassa	SOT227B
Montaggio elettrico	avvitabile
Polarizzazione	unipolare
Resistenza nello stato di conduzione	3,5mΩ
Corrente di drain pulsata	700A
Potenza dissipata	695W
Tecnologia	HiPerFET™, X3-Class
Genere di canale	arricchito
Carico della porta	375nC
Tempo di prontitudine	172ns
Tensione porta-sorgente	±30V
Montaggio meccanico	avvitabile

IXFN300N20X3

Modulo; transistor singolo; 200V; 300A; SOT227B; avvitabile; 695W

Specifica