IXFN30N120P
Modulo; transistor singolo; 1,2kV; 30A; SOT227B; avvitabile; 890W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN30N120P
Simbolo TME:
IXFN30N120P
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 1,2kV | |
Corrente di drenaggio | 30A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 0,35Ω | |
Corrente di drain pulsata | 75A | |
Potenza dissipata | 890W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 310nC | |
Tempo di prontitudine | 300ns | |
Tensione porta-sorgente | ±40V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo36.6 g
Certificati
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* IXFN30N120PQuantità (Molteplicità: 1)
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz