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IXFN320N17T2

Modulo; transistor singolo; 170V; 260A; SOT227B; avvitabile; 1070W

Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
IXFN320N17T2
Simbolo TME:
IXFN320N17T2

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte
170V
Corrente di drenaggio
260A
Cassa
SOT227B
Montaggio elettrico
avvitabile
Polarizzazione
unipolare
Resistenza nello stato di conduzione
5,2mΩ
Corrente di drain pulsata
800A
Potenza dissipata
1,07kW
Tecnologia
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Genere di canale
arricchito
Carico della porta
640nC
Tempo di prontitudine
150ns
Tensione porta-sorgente
±30V
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo36.9 g
Certificati
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IXFN320N17T2
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 51.00 EURPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 62.22 EUR
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 45.11 EURPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 55.02 EUR
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 40.51 EURPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 49.42 EUR
Quantità (Molteplicità: 1)
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz