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IXFN32N100Q3

Modulo; transistor singolo; 1kV; 28A; SOT227B; avvitabile; Idm: 96A


Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
IXFN32N100Q3
Simbolo TME:
IXFN32N100Q3

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte
1kV
Corrente di drenaggio
28A
Cassa
SOT227B
Montaggio elettrico
avvitabile
Polarizzazione
unipolare
Resistenza nello stato di conduzione
0,32Ω
Corrente di drain pulsata
96A
Potenza dissipata
780W
Tecnologia
HiPerFET™, Q3-Class
Genere di canale
arricchito
Carico della porta
195nC
Tempo di prontitudine
300ns
Tensione porta-sorgente
±40V
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo37.02 g
Certificati
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IXFN32N100Q3
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Prezzo netto per quantità da 10 pz - 70.70 EURPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 86.26 EUR
Metodo di confezionamento del produttore:Tubetto = 10 pz