IXFN32N80P
Modulo; transistor singolo; 800V; 29A; SOT227B; avvitabile; 625W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN32N80P
Simbolo TME:
IXFN32N80P
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 800V | |
Corrente di drenaggio | 29A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 0,27Ω | |
Corrente di drain pulsata | 250A | |
Potenza dissipata | 625W | |
Tecnologia | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 150nC | |
Tempo di prontitudine | 250ns | |
Tensione porta-sorgente | ±40V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo36.98 g
Certificati
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N80PQuantità (Molteplicità: 1)
0 in stock presso TME
Prezzo netto per quantità da 1 pz - 33.84 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 41.28 USD
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 30.51 USDPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 37.22 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 26.84 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 32.75 USD
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz