IXFN360N10T
Modulo; transistor singolo; 100V; 360A; SOT227B; avvitabile; 830W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN360N10T
Simbolo TME:
IXFN360N10T
Specifica
Produttore | IXYS | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | ||
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | ||
Tensione drenaggio-fonte | 100V | ||
Corrente di drenaggio | 360A | ||
Cassa | SOT227B | ||
Montaggio elettrico | avvitabile | ||
Polarizzazione | unipolare | ||
Resistenza nello stato di conduzione | 2,6mΩ | ||
Corrente di drain pulsata | 900A | ||
Potenza dissipata | 830W | ||
Tecnologia | GigaMOS™, HiPerFET™ | ||
Genere di canale | arricchito | ||
Carico della porta | 525nC | ||
Tempo di prontitudine | 130ns | ||
Tensione porta-sorgente | ±30V | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo36.9 g
Certificati
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* IXFN360N10TQuantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 30.71 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 37.47 USD
Prezzo netto per quantità da 5 pz - 26.02 USDPrezzo lordo per quantità da 5 pz - 31.75 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 23.89 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 29.15 USD
Prezzo netto per quantità da 20 pz - 22.71 USDPrezzo lordo per quantità da 20 pz - 27.71 USD
Prezzo netto per quantità da 50 pz - 21.76 USDPrezzo lordo per quantità da 50 pz - 26.55 USD
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pzCartone = 60 pz