IXFN360N10T
Modulo; transistor singolo; 100V; 360A; SOT227B; avvitabile; 830W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN360N10T
Simbolo TME:
IXFN360N10T
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 100V | |
Corrente di drenaggio | 360A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 2,6mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 900A | |
Potenza dissipata | 830W | |
Tecnologia | GigaMOS™, HiPerFET™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 525nC | |
Tempo di prontitudine | 130ns | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo36.9 g
Certificati
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* IXFN360N10TQuantità (Molteplicità: 1)
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pzCartone = 60 pz