IXFN36N100
Modulo; transistor singolo; 1kV; 36A; SOT227B; avvitabile; 694W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN36N100
Simbolo TME:
IXFN36N100
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 1kV | |
Corrente di drenaggio | 36A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 0,24Ω | |
Corrente di drain pulsata | 144A | |
Potenza dissipata | 694W | |
Tecnologia | HiPerFET™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 380nC | |
Tempo di prontitudine | 180ns | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo37.27 g
Certificati
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* IXFN36N100Quantità (Molteplicità: 1)
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz