IXFN38N100P
Modulo; transistor singolo; 1kV; 38A; SOT227B; avvitabile; 1000W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN38N100P
Simbolo TME:
IXFN38N100P
Specifica
Produttore | IXYS | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | ||
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | ||
Tensione drenaggio-fonte | 1kV | ||
Corrente di drenaggio | 38A | ||
Cassa | SOT227B | ||
Montaggio elettrico | avvitabile | ||
Polarizzazione | unipolare | ||
Resistenza nello stato di conduzione | 0,21Ω | ||
Corrente di drain pulsata | 120A | ||
Potenza dissipata | 1kW | ||
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | ||
Genere di canale | arricchito | ||
Carico della porta | 0,35µC | ||
Tempo di prontitudine | 300ns | ||
Tensione porta-sorgente | ±40V | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo37.24 g
Certificati
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* IXFN38N100PQuantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 10 pz - 42.54 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 51.89 USD
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz