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IXFN38N100P

Modulo; transistor singolo; 1kV; 38A; SOT227B; avvitabile; 1000W


Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
IXFN38N100P
Simbolo TME:
IXFN38N100P

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte
1kV
Corrente di drenaggio
38A
Cassa
SOT227B
Montaggio elettrico
avvitabile
Polarizzazione
unipolare
Resistenza nello stato di conduzione
0,21Ω
Corrente di drain pulsata
120A
Potenza dissipata
1kW
Tecnologia
HiPerFET™, Polar™
Genere di canale
arricchito
Carico della porta
0,35µC
Tempo di prontitudine
300ns
Tensione porta-sorgente
±40V
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo37.24 g
Certificati
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IXFN38N100P
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Prezzo netto per quantità da 10 pz - 43.42 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 52.97 USD
Prezzo netto per quantità da 20 pz - 41.90 USDPrezzo lordo per quantità da 20 pz - 51.12 USD
Prezzo netto per quantità da 30 pz - 40.93 USDPrezzo lordo per quantità da 30 pz - 49.93 USD
Prezzo netto per quantità da 40 pz - 40.50 USDPrezzo lordo per quantità da 40 pz - 49.41 USD
Metodo di confezionamento del produttore:Tubetto = 10 pz