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Produttore	IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore	Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore	transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte	1,1kV
Corrente di drenaggio	35A
Cassa	SOT227B
Montaggio elettrico	avvitabile
Polarizzazione	unipolare
Resistenza nello stato di conduzione	0,26Ω
Corrente di drain pulsata	100A
Potenza dissipata	960W
Tecnologia	HiPerFET™, Q3-Class
Genere di canale	arricchito
Carico della porta	300nC
Tempo di prontitudine	434ns
Tensione porta-sorgente	±40V
Montaggio meccanico	avvitabile

IXFN40N110Q3

Modulo; transistor singolo; 1,1kV; 35A; SOT227B; avvitabile; 960W

Specifica