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Produttore | IXYS | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | ||
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | ||
Tensione drenaggio-fonte | 800V | ||
Corrente di drenaggio | 39A | ||
Cassa | SOT227B | ||
Montaggio elettrico | avvitabile | ||
Polarizzazione | unipolare | ||
Resistenza nello stato di conduzione | 0,19Ω | ||
Corrente di drain pulsata | 100A | ||
Potenza dissipata | 694W | ||
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | ||
Genere di canale | arricchito | ||
Carico della porta | 200nC | ||
Tempo di prontitudine | 250ns | ||
Tensione porta-sorgente | ±30V | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |