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IXFN52N100X

Modulo; transistor singolo; 1kV; 44A; SOT227B; avvitabile; 830W

Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
IXFN52N100X
Simbolo TME:
IXFN52N100X

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte
1kV
Corrente di drenaggio
44A
Cassa
SOT227B
Montaggio elettrico
avvitabile
Polarizzazione
unipolare
Resistenza nello stato di conduzione
0,125Ω
Corrente di drain pulsata
100A
Potenza dissipata
830W
Tecnologia
HiPerFET™, X-Class
Genere di canale
arricchito
Carico della porta
245nC
Tempo di prontitudine
260ns
Tensione porta-sorgente
±40V
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo35.82 g
Certificati
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IXFN52N100X
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 53.21 EURPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 64.92 EUR
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 46.03 EURPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 56.16 EUR
Prezzo netto per quantità da 100 pz - 40.46 EURPrezzo lordo per quantità da 100 pz - 49.36 EUR
Quantità (Molteplicità: 1)
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz