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IXFN52N100X

Modulo; transistor singolo; 1kV; 44A; SOT227B; avvitabile; 830W


Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
IXFN52N100X
Simbolo TME:
IXFN52N100X

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte
1kV
Corrente di drenaggio
44A
Cassa
SOT227B
Montaggio elettrico
avvitabile
Polarizzazione
unipolare
Resistenza nello stato di conduzione
0,125Ω
Corrente di drain pulsata
100A
Potenza dissipata
830W
Tecnologia
HiPerFET™, X-Class
Genere di canale
arricchito
Carico della porta
245nC
Tempo di prontitudine
260ns
Tensione porta-sorgente
±40V
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo35.82 g
Certificati
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IXFN52N100X
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 59.71 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 72.85 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 51.66 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 63.02 USD
Prezzo netto per quantità da 100 pz - 45.40 USDPrezzo lordo per quantità da 100 pz - 55.39 USD
Metodo di confezionamento del produttore:Tubetto = 10 pz