IXFN60N80P
Modulo; transistor singolo; 800V; 53A; SOT227B; avvitabile; 1040W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN60N80P
Simbolo TME:
IXFN60N80P
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 800V | |
Corrente di drenaggio | 53A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 0,14Ω | |
Corrente di drain pulsata | 150A | |
Potenza dissipata | 1,04kW | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 250nC | |
Tempo di prontitudine | 250ns | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo37.31 g
Certificati
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN60N80PQuantità (Molteplicità: 1)
0 in stock presso TME
Prezzo netto per quantità da 1 pz - 39.81 EURPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 48.56 EUR
Prezzo netto per quantità da 2 pz - 38.31 EURPrezzo lordo per quantità da 2 pz - 46.73 EUR
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 36.90 EURPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 45.02 EUR
Prezzo netto per quantità da 5 pz - 35.71 EURPrezzo lordo per quantità da 5 pz - 43.56 EUR
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz