IXFN60N80P
Modulo; transistor singolo; 800V; 53A; SOT227B; avvitabile; 1040W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN60N80P
Simbolo TME:
IXFN60N80P
Specifica
Produttore | IXYS | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | ||
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | ||
Tensione drenaggio-fonte | 800V | ||
Corrente di drenaggio | 53A | ||
Cassa | SOT227B | ||
Montaggio elettrico | avvitabile | ||
Polarizzazione | unipolare | ||
Resistenza nello stato di conduzione | 0,14Ω | ||
Corrente di drain pulsata | 150A | ||
Potenza dissipata | 1,04kW | ||
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | ||
Genere di canale | arricchito | ||
Carico della porta | 250nC | ||
Tempo di prontitudine | 250ns | ||
Tensione porta-sorgente | ±30V | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo37.31 g
Certificati
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* IXFN60N80PQuantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 45.08 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 55.00 USD
Prezzo netto per quantità da 2 pz - 43.39 USDPrezzo lordo per quantità da 2 pz - 52.93 USD
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 41.80 USDPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 50.99 USD
Prezzo netto per quantità da 5 pz - 40.44 USDPrezzo lordo per quantità da 5 pz - 49.34 USD
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz