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IXFN62N80Q3

Modulo; transistor singolo; 800V; 49A; SOT227B; avvitabile; 960W

Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
IXFN62N80Q3
Simbolo TME:
IXFN62N80Q3

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte
800V
Corrente di drenaggio
49A
Cassa
SOT227B
Montaggio elettrico
avvitabile
Polarizzazione
unipolare
Resistenza nello stato di conduzione
0,14Ω
Corrente di drain pulsata
180A
Potenza dissipata
960W
Tecnologia
HiPerFET™, Q3-Class
Genere di canale
arricchito
Carico della porta
0,27µC
Tempo di prontitudine
300ns
Tensione porta-sorgente
±40V
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo37.08 g
Certificati
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IXFN62N80Q3
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 73.65 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 89.86 USD
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 65.07 USDPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 79.38 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 58.46 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 71.32 USD
Quantità (Molteplicità: 1)
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz