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IXFN66N85X

Modulo; transistor singolo; 850V; 65A; SOT227B; avvitabile; 830W


Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
IXFN66N85X
Simbolo TME:
IXFN66N85X

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte
850V
Corrente di drenaggio
65A
Cassa
SOT227B
Montaggio elettrico
avvitabile
Polarizzazione
unipolare
Resistenza nello stato di conduzione
65mΩ
Corrente di drain pulsata
140A
Potenza dissipata
830W
Tecnologia
HiPerFET™, X-Class
Genere di canale
arricchito
Carico della porta
230nC
Tempo di prontitudine
250ns
Tensione porta-sorgente
±40V
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo37.04 g
Certificati
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IXFN66N85X
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Metodo di confezionamento del produttore:Bobina = 10 pz