IXFN66N85X
Modulo; transistor singolo; 850V; 65A; SOT227B; avvitabile; 830W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN66N85X
Simbolo TME:
IXFN66N85X
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 850V | |
Corrente di drenaggio | 65A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 65mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 140A | |
Potenza dissipata | 830W | |
Tecnologia | HiPerFET™, X-Class | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 230nC | |
Tempo di prontitudine | 250ns | |
Tensione porta-sorgente | ±40V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo37.04 g
Certificati
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* IXFN66N85XQuantità (Molteplicità: 1)
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Metodo di confezionamento del produttoreBobina = 10 pz