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IXFN80N60P3

Modulo; transistor singolo; 600V; 66A; SOT227B; avvitabile; 960W


Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
IXFN80N60P3
Simbolo TME:
IXFN80N60P3

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte
600V
Corrente di drenaggio
66A
Cassa
SOT227B
Montaggio elettrico
avvitabile
Polarizzazione
unipolare
Resistenza nello stato di conduzione
77mΩ
Corrente di drain pulsata
200A
Potenza dissipata
960W
Tecnologia
HiPerFET™, Polar3™
Genere di canale
arricchito
Carico della porta
0,19µC
Tempo di prontitudine
250ns
Tensione porta-sorgente
±40V
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo37.1 g
Certificati
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IXFN80N60P3
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 33.40 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 40.74 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 27.15 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 33.12 USD
Prezzo netto per quantità da 20 pz - 24.98 USDPrezzo lordo per quantità da 20 pz - 30.47 USD
Prezzo netto per quantità da 50 pz - 23.15 USDPrezzo lordo per quantità da 50 pz - 28.24 USD
Quantità (Molteplicità: 1)
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz