IXFN82N60P
Modulo; transistor singolo; 600V; 72A; SOT227B; avvitabile; 1040W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN82N60P
Simbolo TME:
IXFN82N60P
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 600V | |
Corrente di drenaggio | 72A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 75mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 200A | |
Potenza dissipata | 1,04kW | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 240nC | |
Tempo di prontitudine | 200ns | |
Tensione porta-sorgente | ±40V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo29.69 g
Certificati
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* IXFN82N60PQuantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 100 pz - 28.37 EURPrezzo lordo per quantità da 100 pz - 34.61 EUR
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz