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Produttore	IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore	Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore	transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte	850V
Corrente di drenaggio	90A
Cassa	SOT227B
Montaggio elettrico	avvitabile
Polarizzazione	unipolare
Resistenza nello stato di conduzione	41mΩ
Corrente di drain pulsata	180A
Potenza dissipata	1,2kW
Tecnologia	HiPerFET™, X-Class
Genere di canale	arricchito
Carico della porta	340nC
Tempo di prontitudine	250ns
Tensione porta-sorgente	±40V
Montaggio meccanico	avvitabile

IXFN90N85X

Modulo; transistor singolo; 850V; 90A; SOT227B; avvitabile; 1200W

Specifica