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IXTH36P10

Transistor: P-MOSFET; unipolare; -100V; -36A; 180W; TO247-3; 180ns

Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
IXTH36P10
Simbolo TME:
IXTH36P10

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo del transistor
P-MOSFET
Polarizzazione
unipolare
Tensione drenaggio-fonte
-100V
Corrente di drenaggio
-36A
Potenza dissipata
180W
Cassa
TO247-3
Tensione porta-sorgente
±20V
Resistenza nello stato di conduzione
75mΩ
Montaggio
THT
Carico della porta
95nC
Genere di confezione
tubo
Genere di canale
arricchito
Tempo di prontitudine
180ns
Peso lordo6 g
Certificati
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IXTH36P10
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