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IXTN120P20T

Modulo; transistor singolo; -200V; -106A; SOT227B; avvitabile

Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
IXTN120P20T
Simbolo TME:
IXTN120P20T

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore
Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore
transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte
-200V
Corrente di drenaggio
-106A
Cassa
SOT227B
Montaggio elettrico
avvitabile
Polarizzazione
unipolare
Resistenza nello stato di conduzione
30mΩ
Corrente di drain pulsata
-400A
Potenza dissipata
830W
Tecnologia
TrenchP™
Genere di canale
arricchito
Carico della porta
740nC
Tempo di prontitudine
300ns
Tensione porta-sorgente
±15V
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo29.575 g
Certificati
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IXTN120P20T
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