IXTN120P20T
Modulo; transistor singolo; -200V; -106A; SOT227B; avvitabile
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXTN120P20T
Simbolo TME:
IXTN120P20T
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | -200V | |
Corrente di drenaggio | -106A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 30mΩ | |
Corrente di drain pulsata | -400A | |
Potenza dissipata | 830W | |
Tecnologia | TrenchP™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 740nC | |
Tempo di prontitudine | 300ns | |
Tensione porta-sorgente | ±15V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo29.575 g
Certificati
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* IXTN120P20TQuantità (Molteplicità: 1)
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