IXTN170P10P
Modulo; transistor singolo; -100V; -170A; SOT227B; avvitabile
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXTN170P10P
Simbolo TME:
IXTN170P10P
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | -100V | |
Corrente di drenaggio | -170A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 14mΩ | |
Corrente di drain pulsata | -510A | |
Potenza dissipata | 890W | |
Tecnologia | PolarP™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 240nC | |
Tempo di prontitudine | 176ns | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo30 g
Certificati
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* IXTN170P10PQuantità (Molteplicità: 300)
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