IXTN8N150L
Modulo; transistor singolo; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; avvitabile; 545W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXTN8N150L
Simbolo TME:
IXTN8N150L
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 1,5kV | |
Corrente di drenaggio | 7,5A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 3,6Ω | |
Corrente di drain pulsata | 20A | |
Potenza dissipata | 545W | |
Tecnologia | Linear™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 250nC | |
Tempo di prontitudine | 1,7µs | |
Tensione porta-sorgente | ±40V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo30 g
Certificati
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* IXTN8N150LQuantità (Molteplicità: 300)
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