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Produttore	IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore	Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore	transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte	1,5kV
Corrente di drenaggio	7,5A
Cassa	SOT227B
Montaggio elettrico	avvitabile
Polarizzazione	unipolare
Resistenza nello stato di conduzione	3,6Ω
Corrente di drain pulsata	20A
Potenza dissipata	545W
Tecnologia	Linear™
Genere di canale	arricchito
Carico della porta	250nC
Tempo di prontitudine	1,7µs
Tensione porta-sorgente	±40V
Montaggio meccanico	avvitabile

IXTN8N150L

Modulo; transistor singolo; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; avvitabile; 545W

Specifica